RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F
Numero ng Bahagi:
RN1104MFV,L3F
Manufacturer:
Toshiba Semiconductor
Paglalarawan:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
17908 Pieces
Data sheet:
RN1104MFV,L3F.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa RN1104MFV,L3F, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa RN1104MFV,L3F sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili RN1104MFV,L3F sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Boltahe - Kolektor Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, IC:300mV @ 500µA, 5mA
Type transistor:NPN - Pre-Biased
Supplier aparato Package:VESM
serye:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:150mW
packaging:Tape & Reel (TR)
Package / Kaso:SOT-723
Ibang pangalan:RN1104MFV (TL3,T)
RN1104MFV(TL3,T)
RN1104MFV(TL3T)TR
RN1104MFV(TL3T)TR-ND
RN1104MFV,L3F(B
RN1104MFV,L3F(T
RN1104MFVL3FTR
RN1104MFVTL3T
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:16 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:RN1104MFV,L3F
Frequency - Transition:-
Ang pinalawak Paglalarawan:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
paglalarawan:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
DC Kasalukuyang Gain (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Current - Kolektor Cutoff (Max):500nA
Current - kolektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento