Tinatawag na CUHS10F60, dahil sa bagong binuo 2.5 x 1.4mm US2H package (SOD-323HE) na nagtatampok ito ng thermal resistance na 105 ° C / W. "Ang thermal resistance ng pakete ay nabawasan ng humigit-kumulang 50% kumpara sa maginoo na pakete ng USC," sabi ng kompanya.

Sa paghahambing sa Toshiba's earlier CUS04 Schottky diode, ang maximum reverse current ay nabawasan ng 60% - hanggang 40μA.

Ang baligtad na boltahe ay mataas para sa isang silikon na Schottky - 60V (ang butas sa itaas ay sinusukat sa halagang ito) - habang ang pasulong na boltahe ay karaniwang 0.46V sa 500mA at 0.56V sa maximum na kasalukuyang ng aparato ng 1A.

Ang Schottky ay magagamit para sa pagpapadala sa mga dami ng produksyon ngayon.