SI7852DP-T1-GE3
SI7852DP-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SI7852DP-T1-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
14079 Pieces
Data sheet:
SI7852DP-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SI7852DP-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SI7852DP-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SI7852DP-T1-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:PowerPAK® SO-8
serye:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16.5 mOhm @ 10A, 10V
Power pagwawaldas (Max):1.9W (Ta)
packaging:Tape & Reel (TR)
Package / Kaso:PowerPAK® SO-8
Ibang pangalan:SI7852DP-T1-GE3-ND
SI7852DP-T1-GE3TR
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:24 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:SI7852DP-T1-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:-
Ang pinalawak Paglalarawan:N-Channel 80V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):80V
paglalarawan:MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:7.6A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento