SIHB6N65E-GE3
SIHB6N65E-GE3
Numero ng Bahagi:
SIHB6N65E-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
17477 Pieces
Data sheet:
SIHB6N65E-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SIHB6N65E-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIHB6N65E-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SIHB6N65E-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:D²PAK (TO-263)
serye:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3A, 10V
Power pagwawaldas (Max):78W (Tc)
packaging:Cut Tape (CT)
Package / Kaso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ibang pangalan:SIHB6N65E-GE3CT
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:19 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:SIHB6N65E-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:-
Ang pinalawak Paglalarawan:N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):650V
paglalarawan:MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento