SIR624DP-T1-GE3
SIR624DP-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SIR624DP-T1-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
18424 Pieces
Data sheet:
SIR624DP-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SIR624DP-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIR624DP-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SIR624DP-T1-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:PowerPAK® SO-8
serye:ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 10A, 10V
Power pagwawaldas (Max):52W (Tc)
packaging:Original-Reel®
Package / Kaso:PowerPAK® SO-8
Ibang pangalan:SIR624DP-T1-GE3DKR
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:19 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:SIR624DP-T1-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:1110pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 7.5V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:-
Ang pinalawak Paglalarawan:N-Channel 200V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):200V
paglalarawan:MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:18.6A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento