SIS776DN-T1-GE3
SIS776DN-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SIS776DN-T1-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
17469 Pieces
Data sheet:
SIS776DN-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SIS776DN-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIS776DN-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SIS776DN-T1-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:PowerPAK® 1212-8
serye:SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.2 mOhm @ 10A, 10V
Power pagwawaldas (Max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
packaging:Tape & Reel (TR)
Package / Kaso:PowerPAK® 1212-8
operating Temperature:-50°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Bilang Bahagi:SIS776DN-T1-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:Schottky Diode (Body)
Ang pinalawak Paglalarawan:N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):30V
paglalarawan:MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento