SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SISS23DN-T1-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
17227 Pieces
Data sheet:
SISS23DN-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SISS23DN-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SISS23DN-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SISS23DN-T1-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
serye:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Power pagwawaldas (Max):4.8W (Ta), 57W (Tc)
packaging:Tape & Reel (TR)
Package / Kaso:8-PowerVDFN
Ibang pangalan:SISS23DN-T1-GE3TR
operating Temperature:-50°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:24 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:SISS23DN-T1-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:8840pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Type FET:P-Channel
FET Tampok:-
Ang pinalawak Paglalarawan:P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):20V
paglalarawan:MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento