SIHB21N60EF-GE3
SIHB21N60EF-GE3
Numero ng Bahagi:
SIHB21N60EF-GE3
Manufacturer:
Vishay / Siliconix
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS:
Lead libreng / RoHS compliant
Magagamit na Dami:
17685 Pieces
Data sheet:
SIHB21N60EF-GE3.pdf

pagpapakilala

BYCHIPS ay ang stocking distributor para sa SIHB21N60EF-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang panahon supply. Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIHB21N60EF-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili SIHB21N60EF-GE3 sa BYCHPS
Bumili na may garantiya

Mga pagtutukoy

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:TO-263AB (D²PAK)
serye:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:176 mOhm @ 11A, 10V
Power pagwawaldas (Max):227W (Tc)
packaging:Tube
Package / Kaso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time:22 Weeks
Manufacturer Bilang Bahagi:SIHB21N60EF-GE3
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:2030pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:84nC @ 10V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:-
Ang pinalawak Paglalarawan:N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):600V
paglalarawan:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento